PECVD相关论文
阐述4H-SiC晶圆的Si面上通过CVD淀积与低温热氧化生长的双层栅氧化物结构，在高温氮气环境下可降低4H-SiC/SiO2界面的高密度界面缺陷......
氮化硼（BN）是十分重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物,具有优异的物理化学性能,如宽带隙、高热导率、优异的化学稳定性,良好的机械性能和抗氧化性等......
会议
研究不同时间氢等离子体处理（HPT）氢化非晶硅a-Si:H（i）钝化层对高效晶硅异质结太阳电池（效率＞23%）性能的影响。发现适当时间的HPT可改善钝......
光伏行业在蓬勃发展，作为光伏电池生产中核心工艺设备的PECVD设备的反应炉和载片机构也随着硅片尺寸的持续增长而不断增大，直至原有......
在ITO玻璃和普通玻璃上用PECVD技术制备掺N类金刚石薄膜,用XP-1台阶仪测量薄膜厚度,并用U4100分光光度计分析测试薄膜反射光谱与氮......
具有橄榄石结构的LiMnPO4是目前最具潜力的锂离子电池正极材料之一,它最大的优势是其高电压平台及高理论能量密度,同时它的热稳定......
为了解决锂离子电池原料缺乏以及成本较高等问题,研究人员不断努力寻找一种电池作为理想的锂离子电池替代品。然而,由于钠离子电池......
铜箔在电子信息、连接器、音视频传输和锂离子电池等领域,铜箔都存在很广泛的应用,但存在耐腐蚀性差与导电性差的问题。类金刚石（DL......
Plasma-enhanced CVD (PECVD) epitaxy at 200 oC was used to deposit heavy doped n-type silicon films. Post-annealing by ra......
In the past decades, much attention has been paid to the growth ofnanocrystalline silicon films due to its potential app......
A major limitation of the silicon-on-insulator(SOI)based nanophotonic integrated circuit technology platform is the fact......
Novel film systems are attractive because they can provide special functions which will extend the applications of films......
Effect of Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition of Silicon Containing Compounds on the Surface o
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Characterization of Poly-Si Thin Film Fabricated by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Method
Amorphous Si (a-Si) thin films of p+/p-/n+ were deposited on Si3N4/glass substrate for the solar cell application by usi......
Organic and printed electronics,such as OLED display and lighting,organic photovoltaic,and printed RFID,all require herm......
氮化碳薄膜(Carbon nitride films)是以理论预言为基础、自然界尚未发现的人工合成材料之一.由于其具有很多优异的性能而备受材料......
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采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法，以Au 为催化剂，在n 型(100)Si 衬底上成功制备了纤锌矿结构的GaN 纳米线。本文摒弃在传统制......
本研究以不同電位相位差(180°)之雙電極推拉式電漿激發化學氣相沉積(Push-PullPECVD)法沉積二氧化鈦薄膜(如圖1)，利用氬氣(20 sccm......
Optical Transparency and Hardness of Diamond-like Carbon Deposited by PECVD under Different Hydrogen
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本文提出了一种新型硅基垂直腔面光发射器件结构.它采用等离子增强化学汽相沉积(PECVD)方法制备的非晶硅(或非晶氮化硅)/二氧化硅......
Material properties of hydrogenated nanocrystalline silicon thin films by RF-PECVD using He-SiH4 mix
Hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) and amorphous silicon thin film are expected to be promising materials fo......
n 型基底良好的表面钝化效果对高效异质太阳电池的发展具有重要意义[1].目前,a-Si(i)薄膜由于其制备能耗低及易于大面积成膜等优点......
PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION ULTRALOW DIELECTRIC CONSTANT FILMS USING TRIETHOXYMETHYLSI
Ultralow dielectric-constant (κ) porous SiCO(H) films were prepared using C7H18O3Si (MTES) and C 10H16 (LIMO) precursor......
目前，人们在制备形貌、取向可控纳米材料方面还面临巨大的挑战，而如何控制纳米线生长是制造纳米器件的关键所在。本文介绍了采用等离......
当今,OLED、OPV等有机电子器件迅猛发展.有机电子器件具有轻、薄、柔等特色.有机电子器件封装要求低温、柔性、薄膜封装.交替结构......
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采用管式炉以等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法，以Au为催化剂，在n型(100) Si衬底上成功制备了纤锌矿结构的GaN纳米线。与传统的以......
报道了采用PECVD技术制备的SnO-Ag-SnO结构薄膜，在20℃下对HS具有良好的气敏特性，即高灵敏度、良好的选择特性和开关式响应特性。......
该研究设计了循环氩离子轰击-PECVD TiN工艺。运用扫描电子显微镜、能谱仪、恒电位仪等仪器设备，研究循环氩离子轰击对PECVD TiN膜......
本文利用等离子体化学气相沉积的方法(PECVD)在ZnS基底上制备了组织成分可调(x值可调)的Ge1-xCx过渡层,其折射率随组分x的不同在2～4......
本文报道了通过适当氢稀释(RH=15)和合适的衬底温度(T=170℃),用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na-Si:H)薄膜,并将其用作pi......
氮化硅薄膜作为一种新型的太阳电池减反射膜已经被工业界逐渐认识和应用.本文应用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)系统,以硅烷和......
A review of hybrid PVD-PECVD processes is provided in the present paper.Mixing processes to achieve advanced materials c......
A study on the characteristics of nitrogen doped thiophene plasma polymer by PECVD with controlled n
The nitrogen doped thiophene plasma polymer (ThioPP) was deposited on silicon(100) substrate by plasma enhanced chemical......
氮氧化硅(SiOxNy)作为减反射膜,可以兼备氮化硅(SiNx)的减反效果和二氧化硅(SiO2)的钝化效果.本文在工业型DIRECT-PECVD 上,通过优......
会议
目前,采用PECVD 法沉积的氮化硅薄膜被广泛应用于晶体硅太阳能电池的制造工艺中.由于单层氮化硅膜的减反效果不够理想,本文首先通......
N 型晶体硅片表面的钝化层是高效HIT 太阳电池的关键技术所在.本研究在优化的a-Si:H 薄膜钝化的基础上,进一步探索a-SiOx:H 薄膜对......
Advanced PECVD for High Performance TFT Qunhua Wang, Young Jin Choi, Beom Soo Park, Dong Kil Yim, La
Displays in mobile phones, tablets and TVs are moving into higher mobility TFT for better performance. LTPS (low-tempera......
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在Si 基底上制备BN 纳米薄膜，研究了不同生长参数对BN 纳米薄膜形貌及性能的影响。并对BN......
聚合物太阳能电池作为新型可再生能源引起人们的广泛研究，然而限制其商业化的主要原因是空气中的水汽和氧气容易引起电池性能的衰退......
利用自主组装设计的等离子增强化学气相沉积系统(PECVD),用N2、H2 替代常用的NH3,在Si 衬底上制备大面积高质量的GaN 纳米线,考察......
Silicon films are deposited using plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) through SiH4-containing glow dischar......
